Тип | внутрішній |
Ємність | 1000 ГБ |
Інтерфейс | SATA 3 |
Тип NAND пам'яті | 3D V-NAND |
Зовнішня швидкість запису | 520 |
Зовнішня швидкість зчитування | 540 Мб/сек |
Напрацювання на відмову | 1.5 млн. год |
Підтримка Trim | |
Апаратне шифрування |
Тип | внутрішній |
Додатки | для настільного комп'ютера |
для ноутбука | |
Ємність | 1000 ГБ |
Форм фактор | M.2 |
Інтерфейс | SATA 3 |
Контролер | Samsung MGX |
Тип NAND пам'яті | 3D V-NAND |
Зовнішня швидкість запису | 520 |
Зовнішня швидкість зчитування | 540 Мб/сек |
Ударостійкість при роботі | 1500G / 0,5мс |
Напрацювання на відмову | 1.5 млн. год |
Робоча температура | 0°C до 70°C |
Швидкість читання до | 97000 IOPS |
Підтримка Trim | |
Апаратне шифрування | |
Підтримка WWN | |
Підтримка SMART | |
Підтримка режиму сну | |
GC (збір сміття) |