Попереднє
Наступне
Технічні характеристики Samsung 983DCT Enterprise [MZ-QLB960NE]:
Основні параметри
Повний список параметрів
Тип внутрішній
Ємність 960 ГБ
Інтерфейс PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.2b
Тип NAND пам'яті V-nand /3-bit MLC
Зовнішня швидкість запису 1050 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Зовнішня швидкість зчитування 3000 МБ/сек /*Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Напрацювання на відмову 2 млн. год
Підтримка Trim
Апаратне шифрування 256-bit
Вага 70 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Основні
Тип внутрішній
Ємність 960 ГБ
Форм фактор 2.5"
Інтерфейс PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.2b
Контролер Samsung Phoenix
Тип NAND пам'яті V-nand /3-bit MLC
Зовнішня швидкість запису 1050 Мб/сек *Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Зовнішня швидкість зчитування 3000 МБ/сек /*Робочі характеристики можуть змінюватися в залежності від конфігурації комп'ютерної системи і тестового ПЗ
Ударостійкість при роботі 1500G / 0,5мс
Напрацювання на відмову 2 млн. год
Додатково
Робоча температура 0°C до 70°C
Швидкість читання до 400000 IOPS
Швидкість записування до 40000 IOPS
Робоча напруга 12 В ± 8%
Особливості
Висота 7 мм
Підтримка Trim
Апаратне шифрування 256-bit
Підтримка SMART
GC (збір сміття)
Фізичні
Вага 70 г *Фактична вага продукту може залежати від ємності накопичувача
Розміри (ШхВхТ) 100.2 x 69.85 x 6.8 мм
Гарантія
Гарантія 60 місяців
Параметри упаковки
Ширина 140 мм
Висота 20 мм
Довжина 100 мм
Вага 0.10 кг
Об'єм 0.0003 м3
Тип: внутрішній; Ємність: 960 ГБ; Підключення: PCIe Gen 3.0 x4; Тип NAND пам'яті: V-nand; Зовнішня швидкість запису: 1050 Мб/сек; Зовнішня швидкість зчитування: 3000 МБ/сек; Напрацювання до відмови: 2 млн. год; Підтримка Trim: є; Апаратне шифрування: є; Вага: 70 г;
немає в наявності
Меню
Каталог товарів
Каталог товарів