Тип | внутренний |
Емкость | 2000 ГБ |
Интерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
Тип NAND памяти | V-nand /3-bit MLC |
Внешняя скорость записи | 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
Внешняя скорость считывания | 3500 Мб/сек /*Производительность может отличаться в зависимости от аппаратного обеспечения и конфигурации системы |
Наработка на отказ | 1.5 млн. ч |
Поддержка Trim | |
Аппаратное шифрование | 256-розрядне |
Тип | внутренний |
Емкость | 2000 ГБ |
Форм фактор | M.2 2280 |
Интерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Тип NAND памяти | V-nand /3-bit MLC |
Внешняя скорость записи | 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
Внешняя скорость считывания | 3500 Мб/сек /*Производительность может отличаться в зависимости от аппаратного обеспечения и конфигурации системы |
Ударостойкость при работе | 1500G/0.5мс |
Наработка на отказ | 1.5 млн. ч |
Рабочая температура | 0°C до 70°C |
Скорость чтения до | 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
Скорость записи до | 620000 IOPS Випадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
Рабочее напряжение | 3.3 В температура |
Поддержка Trim | |
Аппаратное шифрование | 256-розрядне |
Поддержка SMART | |
Поддержка режима сна | |
GC (сборка мусора) |
Гарантия | 60 месяцев |
Ширина | 20 мм |
Высота | 100 мм |
Длина | 140 мм |
Вес | 0.08 кг |
Объем | 0.0003 м3 |