Предыдущее
Следующее
Технические характеристики Samsung 970 EVO PLUS [MZ-V7S2T0BW]:
Основные параметры
Полный список параметров
Тип внутренний
Емкость 2000 ГБ
Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3
Тип NAND памяти V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Внешняя скорость считывания 3500 Мб/сек /*Производительность может отличаться в зависимости от аппаратного обеспечения и конфигурации системы
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
Поддержка Trim
Аппаратное шифрование 256-розрядне
Основные
Тип внутренний
Емкость 2000 ГБ
Форм фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3
Контроллер Samsung Phoenix
Тип NAND памяти V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Внешняя скорость считывания 3500 Мб/сек /*Производительность может отличаться в зависимости от аппаратного обеспечения и конфигурации системы
Ударостойкость при работе 1500G/0.5мс
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
Дополнительно
Рабочая температура 0°C до 70°C
Скорость чтения до 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Скорость записи до 620000 IOPS Випадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Рабочее напряжение 3.3 В температура
Особенности
Поддержка Trim
Аппаратное шифрование 256-розрядне
Поддержка SMART
Поддержка режима сна
GC (сборка мусора)
Гарантия
Гарантия 60 месяцев
Параметри упаковки
Ширина 20 мм
Высота 100 мм
Длина 140 мм
Вес 0.08 кг
Объем 0.0003 м3
Тип: внутренний; Емкость: 2000 ГБ; Подключение: PCIe Gen 3.0 x4; Тип NAND памяти: V-nand; Внешняя скорость записи: 3300 Мб/сек; Внешняя скорость считывания: 3500 Мб/сек; Наработка на отказ: 1.5 млн. ч; Поддержка Trim: есть; Аппаратное шифрование: есть;
нет в наличии
Меню
Каталог товаров
Каталог товаров