Предыдущее
Следующее
Технические характеристики Gigabyte AORUS NVMe Gen4 [GP-ASM2NE6100TTTD]:
Основные параметры
Полный список параметров
Тип внутренний
Емкость 1000 ГБ
Интерфейс PCIe Gen 4.0x4
Тип NAND памяти NAND Flash 3D TLC
Внешняя скорость записи 4400 Мб/сек
Внешняя скорость считывания 5000 МБ/с
Основные
Тип внутренний
Емкость 1000 ГБ
Форм фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe Gen 4.0x4
Контроллер Phison PS5016-E16
Тип NAND памяти NAND Flash 3D TLC
Внешняя скорость записи 4400 Мб/сек
Внешняя скорость считывания 5000 МБ/с
Буферная память 512 МБ
Дополнительно
Энергопотребление (типичное) при чтении 5.9 Вт
Энергопотребление (типичное) при записи 4.5 Вт
Скорость чтения до 750000 IOPS
Скорость записи до 700000 IOPS
Физические
Размеры без упаковки (ШхГхТ) 80.5 x 11.4 x 23.5 мм
Гарантия
Гарантия 60 месяцев
Параметри упаковки
Ширина 130 мм
Высота 30 мм
Длина 80 мм
Вес 0.19 кг
Объем 0.0003 м3
Первый в мире контроллер PCIe 4.0x4, контроллер Phison PS5016-E16, изготовленный по 28-нм производственной технологии. Усовершенствованный процесс изготовления гарантирует, что PS5016-E16 обладает достаточной вычислительной мощностью для обработки ECC при использовании новейшей 3D TLC NAND-вспышки. PS5016-E16 также имеет восемь каналов NAND с 32 целевыми объектами CE, кеширование DDR4 DRAM и интерфейс PCIe 4.0x4. Что касается функций, то чип поддерживает протокол NVMe 1.3, коррекцию ошибок LDPC и технологии выравнивания износа, избыточного обеспечения для повышения надежности и долговечности твердотельных накопителей.
нет в наличии
Меню
Каталог товаров
Каталог товаров