Тип | внутренний |
Емкость | 512 ГБ |
Интерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 |
Тип NAND памяти | 3D QLC |
Внешняя скорость записи | 1000 Мб/сек (в пределах) |
Внешняя скорость считывания | 1500 Мб/сек /(в пределах) |
Наработка на отказ | 1.6 млн. ч |
Аппаратное шифрование | AES 256 bit |
Тип | внутренний |
Емкость | 512 ГБ |
Форм фактор | M.2 2280 |
Интерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 |
Тип NAND памяти | 3D QLC |
Внешняя скорость записи | 1000 Мб/сек (в пределах) |
Внешняя скорость считывания | 1500 Мб/сек /(в пределах) |
Наработка на отказ | 1.6 млн. ч |
Энергопотребление при простое | 0.04 Вт |
Энергопотребление (типичное) при чтении | 0.1 Вт |
Энергопотребление (типичное) при записи | 0.1 Вт |
Рабочая температура | 0°C до 70°C |
Скорость чтения до | 90000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах) |
Скорость записи до | 220000 IOPS (участок 8 ГБ) (в пределах) |
Аппаратное шифрование | AES 256 bit |
Гарантия | 60 месяцев |
Ширина | 160 мм |
Высота | 20 мм |
Длина | 120 мм |
Вес | 0.11 кг |
Объем | 0.0004 м3 |