Тип | внутрішній |
Ємність | 1000 ГБ |
Інтерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
Тип NAND пам'яті | V-nand /3-bit MLC |
Зовнішня швидкість запису | 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
Зовнішня швидкість зчитування | 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
Напрацювання на відмову | 1.5 млн. год |
Підтримка Trim | |
Апаратне шифрування | 256-розрядне |
Тип | внутрішній |
Призначення | для настільного комп'ютера |
для ноутбука | |
Ємність | 1000 ГБ |
Форм фактор | M.2 2280 |
Інтерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
Контролер | Samsung Phoenix |
Тип NAND пам'яті | V-nand /3-bit MLC |
Зовнішня швидкість запису | 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
Зовнішня швидкість зчитування | 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
Ударостійкість при роботі | 1500G / 0,5мс |
Напрацювання на відмову | 1.5 млн. год |
Робоча температура | 0°C до 70°C |
Швидкість читання до | 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
Швидкість записування до | 60000 IOPS ипадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
Робоча напруга | 3.3 В температура |
Підтримка Trim | |
Апаратне шифрування | 256-розрядне |
Підтримка SMART | |
Підтримка режиму сну | |
GC (збір сміття) |
Ширина | 140 мм |
Висота | 20 мм |
Довжина | 100 мм |
Вага | 0.10 кг |
Об'єм | 0.0003 м3 |
Гарантія | 60 місяців |