| Тип | внутрішній |
| Ємність | 1000 ГБ |
| Інтерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
| Тип NAND пам'яті | V-nand /3-bit MLC |
| Зовнішня швидкість запису | 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
| Зовнішня швидкість зчитування | 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
| Напрацювання на відмову | 1.5 млн. год |
| Підтримка Trim |
|
| Апаратне шифрування |
256-розрядне
|
| Тип | внутрішній |
| Призначення | для настільного комп'ютера |
| для ноутбука | |
| Ємність | 1000 ГБ |
| Форм фактор | M.2 2280 |
| Інтерфейс | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
| Контролер | Samsung Phoenix |
| Тип NAND пам'яті | V-nand /3-bit MLC |
| Зовнішня швидкість запису | 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
| Зовнішня швидкість зчитування | 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
| Ударостійкість при роботі | 1500G / 0,5мс |
| Напрацювання на відмову | 1.5 млн. год |
| Робоча температура | 0°C до 70°C |
| Швидкість читання до | 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
| Швидкість записування до | 60000 IOPS ипадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
| Робоча напруга | 3.3 В температура |
| Підтримка Trim |
|
| Апаратне шифрування |
256-розрядне
|
| Підтримка SMART |
|
| Підтримка режиму сну |
|
| GC (збір сміття) |
|
| Ширина | 140 мм |
| Висота | 20 мм |
| Довжина | 100 мм |
| Вага | 0.10 кг |
| Об'єм | 0.0003 м3 |
| Гарантія | 60 місяців |