Надшвидкий стандарт заряджання GaN

Головна Огляди Надшвидкий стандарт заряджання GaN

24.02.2021

Переваги й особливості зарядних пристроїв на основі нітриду галію.

GaN: особливості технології

Технологія GaN ґрунтується на нітриді галію, головна перевага якого перед кремнієм – збільшена в кілька разів провідність електрики. Щоби зарядити улюблені гаджети, користувачі витрачатимуть менше часу. Крім того, безперечні плюси технології – це зменшений розмір зарядного пристрою та зниження втрати електрики під час заряджання до 20 %.

Завдяки зменшенню розміру пристрій GaN може вміщати «кілька зарядок» в одному корпусі. За меншого розміру вона видає більшу напругу. За тих самих умов у кремнієвих зарядках виникне сильне перегрівання, тож вони розплавляться. GaN-зарядка грітиметься, але в неї вища допустима температура й поріг максимального перегрівання. Наприклад, щоби зарядити MacBook Pro 15 дюймів із нуля до 50 %, знадобиться лише 60 хвилин. А швидке заряджання iPhone 8 або пізнішої версії з нуля до 50 % займає всього 30 хвилин (дані можуть відрізнятися за різних умов).

Джерела живлення для мобільних пристроїв

Швидке заряджання. Розширений асортимент із зарядними пристроями PD потужністю від 18 до 100 Вт.
Нова технологія: нітрид галію. Найкомпактніший у світі зарядний пристрій PD 60 Вт. Широкий асортимент пристроїв PD від 30 до 100 Вт.
Бездротові зарядні пристрої. Перше місце на ринку в Європі. Вироби з більш швидкою зарядкою та можливістю одночасного заряджання кількох пристроїв.

	Belkin GAN 30W USB-С	Belkin GAN 60W USB-С	Belkin GAN (45 + 18 W) Dual USB-С	Belkin GAN (98W) USB-C + USB-A
Код товару	WCH001VFWH	WCH002VFWH	WCH003VFWH	WCH004VFWH
Потужність	30 Вт	60 Вт	63 Вт	98 Вт
Кількість портів	1хUSB (GaN 1×30 Вт USB-C)	1хUSB (GaN 1×60 Вт USB-C)	2хUSB (GaN 1×45 Вт / 1×18 Вт USB-C)	4хUSB (GaN 1×60 Вт / 1×18 Вт USB-C, 2×10 Вт USB-A)