Переваги й особливості зарядних пристроїв на основі нітриду галію.
Технологія GaN ґрунтується на нітриді галію, головна перевага якого перед кремнієм – збільшена в кілька разів провідність електрики. Щоби зарядити улюблені гаджети, користувачі витрачатимуть менше часу. Крім того, безперечні плюси технології – це зменшений розмір зарядного пристрою та зниження втрати електрики під час заряджання до 20 %.
Завдяки зменшенню розміру пристрій GaN може вміщати «кілька зарядок» в одному корпусі. За меншого розміру вона видає більшу напругу. За тих самих умов у кремнієвих зарядках виникне сильне перегрівання, тож вони розплавляться. GaN-зарядка грітиметься, але в неї вища допустима температура й поріг максимального перегрівання. Наприклад, щоби зарядити MacBook Pro 15 дюймів із нуля до 50 %, знадобиться лише 60 хвилин. А швидке заряджання iPhone 8 або пізнішої версії з нуля до 50 % займає всього 30 хвилин (дані можуть відрізнятися за різних умов).
Belkin GAN 30W USB-С |
Belkin GAN 60W USB-С |
Belkin GAN (45 + 18 W) Dual USB-С |
Belkin GAN (98W) USB-C + USB-A |
|
Код товару |
WCH001VFWH |
WCH002VFWH |
WCH003VFWH |
WCH004VFWH |
Потужність |
30 Вт |
60 Вт |
63 Вт |
98 Вт |
Кількість портів |
1хUSB (GaN 1×30 Вт USB-C) |
1хUSB (GaN 1×60 Вт USB-C) |
2хUSB (GaN 1×45 Вт / 1×18 Вт USB-C) |
4хUSB (GaN 1×60 Вт / 1×18 Вт USB-C, 2×10 Вт USB-A) |