Gigabyte AORUS NVMe Gen4 [GP-ASM2NE6100TTTD]

SKU: GP-ASM2NE6100TTTD
Previous
Next
Technical characteristics Gigabyte AORUS NVMe Gen4 [GP-ASM2NE6100TTTD]:
Main features
Full list of features
A type internal
Capacity 1000 GB
Interface PCIe Gen 4.0x4
Type NAND memory NAND Flash 3D TLC
External write speed 4400 Mb/sec
External reading speed 5000 MB/s
Main
A type internal
Capacity 1000 GB
Form factor M.2 2280
Interface PCIe Gen 4.0x4
Controller Phison PS5016-E16
Type NAND memory NAND Flash 3D TLC
External write speed 4400 Mb/sec
External reading speed 5000 MB/s
Buffer memory 512 MB
Additionally
Power Consumption (typically) - Read 5.9 V
Power Consumption (typically) - Write 4.5 V
Reading speed up to 750000 IOPS
Recording speed up to 700000 IOPS
Physical
Dimensions (ShhVhT) 8‎0.5 x 11.4 x 23.5 mm
Warranty
Warranty60 months
Package dimensions
Width130 mm
Height30 mm
Length80 mm
Weight0.19 kg
Volume0.0003 m3
Первый в мире контроллер PCIe 4.0x4, контроллер Phison PS5016-E16, изготовленный по 28-нм производственной технологии. Усовершенствованный процесс изготовления гарантирует, что PS5016-E16 обладает достаточной вычислительной мощностью для обработки ECC при использовании новейшей 3D TLC NAND-вспышки. PS5016-E16 также имеет восемь каналов NAND с 32 целевыми объектами CE, кеширование DDR4 DRAM и интерфейс PCIe 4.0x4. Что касается функций, то чип поддерживает протокол NVMe 1.3, коррекцию ошибок LDPC и технологии выравнивания износа, избыточного обеспечения для повышения надежности и долговечности твердотельных накопителей.
out of stock
* Recommended retail price
Menu
Products catalog
Products catalog