A type | internal |
Capacity | 2000 GB |
Interface | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
Type NAND memory | V-nand /3-bit MLC |
External write speed | 3300 Mb/sec *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
External reading speed | 3500 MB/sec /*Performance may vary depending on the specific hardware and software applications |
MTBF | 1.5 million hours |
Support Trim | |
Hardware-based encryption | 256-розрядне |
A type | internal |
Capacity | 2000 GB |
Form factor | M.2 2280 |
Interface | PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3 |
Controller | Samsung Phoenix |
Type NAND memory | V-nand /3-bit MLC |
External write speed | 3300 Mb/sec *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи |
External reading speed | 3500 MB/sec /*Performance may vary depending on the specific hardware and software applications |
Shock resistance at work | 1500G / 0.5ms |
MTBF | 1.5 million hours |
Working surface | 0°C to 70°C |
Reading speed up to | 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
Recording speed up to | 620000 IOPS Випадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи |
Operating voltage | 3.3 V температура |
Support Trim | |
Hardware-based encryption | 256-розрядне |
SMART support | |
Sleep mode support | |
GC (garbage collection) |
Warranty | 60 months |
Width | 20 mm |
Height | 100 mm |
Length | 140 mm |
Weight | 0.08 kg |
Volume | 0.0003 m3 |